平膜式气体流量传感器
专利权的终止
摘要

平膜式气体流量传感器。它涉及流量传感器领域,它解决了现有气体流量传感器结构尺寸较大、功耗较高,且不易于批量生产,成本较高的缺点,它的单晶硅片的上下表面分别生成绝缘层,在上部绝缘层上依次生成过渡层和敏感金属层,并刻蚀为加热电阻、测温热敏电阻和控制电阻并相互平行;电极透过覆盖在单晶硅片上表面的钝化保护层连接敏感金属层,单晶硅片的底部开有一个平行于电阻刻蚀方向截面为杯形的沉槽,所述截面为杯形的沉槽的上底面为上部绝缘层的下底面,单晶硅片的底部还开有一个垂直于电阻刻蚀方向的矩形导流槽,截面为杯形的沉槽通过矩形导流槽与外界连通。它提高了传感器的稳定性和可靠性,具有响应速度快和灵敏度高、功耗低的特点。

基本信息
专利标题 :
平膜式气体流量传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820090724.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-08-25
授权号 :
CN201247082Y
授权日 :
2009-05-27
发明人 :
齐虹田雷金建东于海超姜国光王长虹王震李海博寇文兵傅博
申请人 :
中国电子科技集团公司第四十九研究所
申请人地址 :
150001黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
代理机构 :
哈尔滨市松花江专利商标事务所
代理人 :
徐爱萍
优先权 :
CN200820090724.X
主分类号 :
G01F1/684
IPC分类号 :
G01F1/684  G01F1/692  B81B7/02  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01F
容积、流量、质量流量或液位的测量;按容积进行测量
G01F1/00
测量连续通过仪表的流体或流动固体材料的流量或质量流量
G01F1/68
应用热效应
G01F1/684
结构配置;元件安装,例如与液流有关的
法律状态
2018-09-18 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : G01F 1/684
申请日 : 20080825
授权公告日 : 20090527
2009-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN201247082Y.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332