不对称式T型薄膜电容

专利权的终止

摘要

一种不对称式T型薄膜电容，使用于薄膜电容中，包括第一层金属化膜和第二层金属化膜，其特征在于：所述第一层金属化膜是在塑胶膜表面蒸着金属电极，且设有并联连续不对称的区块；所述第二层金属化膜的上端设置成型为空白区，且其余部分蒸着为金属电极；所述第二层金属化膜和所述第一层金属化膜重叠卷折而成一电容器，且在所述电容器侧喷涂金属融层容置入所述电容器。

基本信息

专利标题：

不对称式T型薄膜电容

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820105088.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-04-22

授权号：

CN201229853Y

授权日：

2009-04-29

发明人：

王培钟

申请人：

台金科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾台中市西屯区中部科学园工业园区科园1路3号

代理机构：

上海天协和诚知识产权代理事务所

代理人：

张恒康

优先权：

CN200820105088.3

主分类号：

H01G4/33

IPC分类号：

H01G4/33 H01G4/005 H01G2/16

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01G

电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件

H01G4/00

固定电容器；及其制造方法

H01G4/33

薄膜或厚膜电容器

法律状态

2012-06-27 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101272911612
IPC(主分类) : H01G 4/33
专利号 : ZL2008201050883
申请日 : 20080422
授权公告日 : 20090429
终止日期 : 20110422

2009-04-29 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载