一种MEMS加速度传感器及其制备方法、电子装置
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摘要

本发明涉及一种MEMS加速度传感器及其制备方法、电子装置,所述MEMS加速度传感器包括:半导体衬底;第一检测质量块,悬空设置于半导体衬底的上方;第二检测质量块,连接设置于所述第一检测质量块的上方并且与水平设置的所述第一检测质量块相平行;弹簧结构,所述弹簧结构呈水平设置,弹簧结构的一端位于所述第一检测质量块上或/和所述第二质量检测块上,弹簧结构另一端的末端通过其下方的牺牲材料层固定于所述半导体衬底上;其中,第一检测质量块包括第一质量元件和与所述第一质量元件相连接的第一叉指结构,第二检测质量块包括第二质量元件和与所述第二质量元件相连接的第二叉指结构。本发明的优点在于所述加速度传感器的灵敏度得到进一步提高。

基本信息
专利标题 :
一种MEMS加速度传感器及其制备方法、电子装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN106033091A
申请号 :
CN201510106517.3
公开(公告)日 :
2016-10-19
申请日 :
2015-03-11
授权号 :
CN106033091B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
何昭文王珊珊
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 :
北京市磐华律师事务所
代理人 :
高伟
优先权 :
CN201510106517.3
主分类号 :
G01P15/125
IPC分类号 :
G01P15/125  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01P
线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量;运动的存在或不存在的指示;运动的方向的指示、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S;核辐射速度的测量入G01T)
G01P15/00
测量加速度;测量减速度;测量冲击即加速度的突变
G01P15/02
利用惯性力
G01P15/08
用变换成电或磁量
G01P15/125
应用电容变送器
法律状态
2022-04-29 :
授权
2016-11-16 :
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101687381908
IPC(主分类) : G01P 15/125
专利申请号 : 2015101065173
申请日 : 20150311
2016-10-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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