辐射检测器制造
授权
摘要
本发明方法涉及辐射检测器的制造。在某些实施例中，采用诸如3D金属印刷技术等增材制造技术来制造检测器的一个或多个部分。在一个所述印刷实施例的一个示例中，可以首先将非晶硅设置在衬底上，并且可以使用激光来熔化所述非晶硅的一部分或全部，以形成光成像仪面板的晶体硅电路。也可以采用所述印刷技术来制造辐射检测器的其他方面，例如闪烁体层。
基本信息
专利标题 ：
辐射检测器制造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107924926A
申请号 ：
CN201680044181.5
公开（公告）日 ：
2018-04-17
申请日 ：
2016-07-26
授权号 ：
CN107924926B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
J.刘
申请人 ：
通用电气公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
郑浩
优先权 ：
CN201680044181.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01T1/24 G01T1/29
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2018-05-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20160726
申请日 : 20160726
2018-04-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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