光检测器件及其制造方法
公开
摘要
一种光检测器件，包括：光吸收层，被配置为吸收从可见光到短波红外(SWIR)的波长范围内的光；第一半导体层，设置在光吸收层的第一表面上；抗反射层，设置在第一半导体层上，并且包括相对于第一半导体层具有蚀刻选择性的材料；以及第二半导体层，设置在光吸收层的第二表面上，第一半导体层具有小于500nm的厚度，以被配置为允许在从可见光到SWIR的波长范围内的光透射通过。
基本信息
专利标题 ：
光检测器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361271A
申请号 ：
CN202110242570.1
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴昌泳李相勋
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周祺
优先权 ：
CN202110242570.1
主分类号 ：
H01L31/0232
IPC分类号 ：
H01L31/0232 H01L31/105 H01L27/144 H01L31/18
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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