热增强型全模制扇出模组
授权
摘要

一种制造半导体装置的方法可以包括提供具有粘合剂的暂时载体。可将第一半导体管芯及第二半导体管芯面向上安装至暂时载体,使得第一半导体管芯的背表面和第二半导体管芯的背表面陷入粘合剂内。通过在单一步骤中包封第一半导体管芯的至少四个侧表面和有源表面、第二半导体管芯、及导电互连件的侧表面而形成嵌入式管芯面板。可以通过在嵌入式管芯面板上方形成精细间距堆积互连结构,而在没有硅中介层的情况下使得第一半导体管芯及第二半导体管芯的导电互连件互连,以形成至少一个模制核心单元。可将所述至少一个模制核心单元安装至有机多层基材。

基本信息
专利标题 :
热增强型全模制扇出模组
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108028225A
申请号 :
CN201680054403.1
公开(公告)日 :
2018-05-11
申请日 :
2016-09-19
授权号 :
CN108028225B
授权日 :
2022-06-07
发明人 :
C.M.斯坎伦
申请人 :
德卡技术股份有限公司
申请人地址 :
美国亚利桑那州
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
葛青
优先权 :
CN201680054403.1
主分类号 :
H01L21/78
IPC分类号 :
H01L21/78  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-06-07 :
授权
2021-03-19 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/78
变更事项 : 申请人
变更前 : 德卡技术股份有限公司
变更后 : 美国德卡科技公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国亚利桑那州
变更后 : 美国亚利桑那州
2018-06-05 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20160919
2018-05-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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