低功率高性能SRAM中的感测放大器
授权
摘要
在所描述的实例中，一种静态随机存取存储器SRAM包含存储单元阵列及第一感测放大器(208)。所述存储单元阵列布置为行及列。所述行对应于字线，且所述列对应于位线。所述第一感测放大器(208)包含第一晶体管(410)及第二晶体管(412)。所述第一感测放大器(208)经配置以提供对所述存储单元阵列的第一存储单元的第一读取。基于对所述第一存储单元的所述第一读取不能正确地读取存储于所述第一存储单元中的数据，所述第一感测放大器(208)经配置以第一次递增所述第一晶体管(410)的体偏置。响应于所述第一晶体管(410)的所述体偏置被递增，所述第一感测放大器(208)经配置以提供对所述第一存储单元的第二读取。
基本信息
专利标题 ：
低功率高性能SRAM中的感测放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108352175A
申请号 ：
CN201680064174.1
公开（公告）日 ：
2018-07-31
申请日 ：
2016-11-30
授权号 ：
CN108352175B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
维诺德·梅内塞斯
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林斯凯
优先权 ：
CN201680064174.1
主分类号 ：
G11C7/06
IPC分类号 ：
G11C7/06 G11C11/4074
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/06
读出放大器；相关电路
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2018-12-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/06
申请日 : 20161130
申请日 : 20161130
2018-07-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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