装置及相关联方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体布置，其包括：由III‑V半导体材料制成的晶片；集成于所述晶片中的电阻器元件，所述电阻器元件包括由所述晶片的所述III‑V半导体材料中的第一植入材料界定的迹线，所述迹线通过环绕所述迹线的隔离区基本上与所述晶片的剩余部分电隔离。
基本信息
专利标题 ：
装置及相关联方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106992168A
申请号 ：
CN201710016987.X
公开（公告）日 ：
2017-07-28
申请日 ：
2017-01-10
授权号 ：
CN106992168B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
马克·安杰伊·加赫达巴里·怀恩
申请人 ：
安世有限公司
申请人地址 ：
荷兰奈梅亨
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
麦善勇
优先权 ：
CN201710016987.X
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-02-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20170110
申请日 : 20170110
2017-07-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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