集成光电检测器
授权
摘要
在所描述的示例中，集成电路(100)包括基板(102)、光电二极管(110)和菲涅耳结构(120)。光电二极管(110)形成在基板(102)上，并且光电二极管(110)具有p‑n结(116)。菲涅耳结构(120)形成在光电二极管(110)上方，并且菲涅耳结构(120)限定定位在p‑n结(116)的附近区域内的聚焦区(122)。一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当衍射装置的沟槽图案(132、134、136、138)以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(124)。另一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当衍射装置的布线图案以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(122)。又一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当折射装置的透明电介质图案以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(122)。
基本信息
专利标题 ：
集成光电检测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108575098A
申请号 ：
CN201780008263.9
公开（公告）日 ：
2018-09-25
申请日 ：
2017-02-06
授权号 ：
CN108575098B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
D·巴苏H·L·爱德华兹R·A·杰克逊M·A·加德纳
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐东升
优先权 ：
CN201780008263.9
主分类号 ：
H01L31/052
IPC分类号 ：
H01L31/052 H01L31/0232 H01L31/103 G01J1/02 G01J1/04 G01J1/42
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2019-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/052
申请日 : 20170206
申请日 : 20170206
2018-09-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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