用于自组装单层工艺的化学输送腔室
授权
摘要
本文所述的实施方案涉及用于自组装单层(self‑assembled monolayer,SAM)沉积的设备和方法。本文所述的设备包括处理腔室，具有流体耦合到处理腔室上的各种气相输送设备。SAM前驱物可经由经加热以将前驱物维持在气相中的各种设备而输送到腔室的处理容积。在一个实施方案中，经构造以用于输送SAM前驱物的第一安瓿或蒸发器可流体耦接到处理腔室的处理容积。经构造以输送与SAM前驱物不同的材料的第二安瓿或蒸发器也可流体耦接到处理腔室的处理容积。
基本信息
专利标题 ：
用于自组装单层工艺的化学输送腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109417042A
申请号 ：
CN201780025455.0
公开（公告）日 ：
2019-03-01
申请日 ：
2017-03-24
授权号 ：
CN109417042B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
梁奇伟阿迪卜·汗托宾·卡芙曼·奥斯本斯里尼瓦斯·D·内曼尼卢多维克·戈代
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201780025455.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20170324
申请日 : 20170324
2019-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
