用于分子传感器件的多电极结构及其制造方法
授权
摘要
能在分子传感器器件中使用的结构包括限定衬底平面的衬底、以及与衬底平面成角度地附着到衬底的间隔开的电极片对。该结构还包括在每个电极片对中的每个电极片之间的内部介电片、以及在每个电极片对之间的外部介电片。进一步公开了用于制造用于分子传感器的结构的制造方法，包括电极层和介电层的倾斜角度沉积、所得堆叠的平面化、以及去除每个内部介电片的端部以在其中形成凹槽。
基本信息
专利标题 ：
用于分子传感器件的多电极结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109791120A
申请号 ：
CN201780058921.5
公开（公告）日 ：
2019-05-21
申请日 ：
2017-07-26
授权号 ：
CN109791120B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
陈成浩B·L·梅里曼T·格伊瑟C·崔P·W·莫拉
申请人 ：
罗斯韦尔生物技术股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
周全
优先权 ：
CN201780058921.5
主分类号 ：
G01N27/26
IPC分类号 ：
G01N27/26 C23C14/16 C23C14/58 C23C16/06 C23C16/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/18
••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻
G01N27/26
通过测试电化学变量；用电解或电泳法
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-08-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/26
申请日 : 20170726
申请日 : 20170726
2019-05-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
