量子点发光装置
授权
摘要
本发明提供一种量子点发光二极管，其包括：i)至少一个由选自由以下组成的群组的半导体材料制得的半导体纳米粒子的发射层：第II‑VI族化合物、第II‑V族化合物、第III‑VI族化合物、第III‑V族化合物、第IV‑VI族化合物、第I‑III‑VI族化合物、第II‑IV‑VI族化合物、第II‑IV‑V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物，其包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子。
基本信息
专利标题 ：
量子点发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109844979A
申请号 ：
CN201780064920.1
公开（公告）日 ：
2019-06-04
申请日 ：
2017-06-26
授权号 ：
CN109844979B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
A·N·索科洛夫B·古德费洛R·D·格里格L·P·斯潘塞J·W·克雷默D·D·德沃尔S·穆霍帕德亚P·特雷夫纳斯三世
申请人 ：
陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请人地址 ：
美国密歇根州
代理机构 ：
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐舒
优先权 ：
CN201780064920.1
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-11-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20170626
申请日 : 20170626
2019-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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