电容矩阵布置及其激励方法
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摘要

本发明涉及一种电容矩阵布置,其包括有源介质,其布置在字线和位线之间的层中,其交叉点具有可通过字线和位线的激励选择的具有介入有源介质的电容单元,还涉及一种激励方法,其中本发明基于将矩阵中的电容元件的有源激励与无源激励的优点结合的目标。这是通过字线具有可变的德拜长度来实现的,即它们由具有可变移动电荷载流子浓度的材料组成,并且布置在有源介质和非有源电介质之间。通过控制电场的作用来进行激励。

基本信息
专利标题 :
电容矩阵布置及其激励方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110073440A
申请号 :
CN201780076100.4
公开(公告)日 :
2019-07-30
申请日 :
2017-10-10
授权号 :
CN110073440B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
K·德玛斯休思A·克斯什
申请人 :
K·德玛斯休思;A·克斯什
申请人地址 :
德国莱比锡
代理机构 :
深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
金辉
优先权 :
CN201780076100.4
主分类号 :
G11C11/24
IPC分类号 :
G11C11/24  G11C11/22  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/24
应用电容器的
法律状态
2022-04-29 :
授权
2021-05-11 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : G11C 11/24
登记生效日 : 20210429
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : K·德玛斯休思
变更后权利人 : 塞姆隆有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国莱比锡
变更后权利人 : 德国德累斯顿
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : A·克斯什
2019-11-01 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/24
申请日 : 20171010
2019-07-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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