用于FDSOI的电路调谐方案
授权
摘要
本发明涉及用于FDSOI的电路调谐方案，其中，一种电路调谐的方法包括：对电路结构施加第一正电压及第二正电压，该电路结构包括具有翻转井晶体管的p型金属氧化物半导体(PMOS)装置、及n型金属氧化物半导体(NMOS)装置；响应于对该NMOS装置的p型井区所施加的该第一正电压而调整第一阈值电压，及响应于对该PMOS装置的p型井区所施加的该第二正电压而调整第二阈值电压；以及相对于相同共模电压透过该PMOS装置及该NMOS装置的背栅极补偿该第一阈值电压及该第二阈值电压。
基本信息
专利标题 ：
用于FDSOI的电路调谐方案
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108631768A
申请号 ：
CN201810213579.8
公开（公告）日 ：
2018-10-09
申请日 ：
2018-03-15
授权号 ：
CN108631768B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
阿贝拉特·贝拉尔亚若·巴拉萨伯拉马尼彦
申请人 ：
格芯公司
申请人地址 ：
英属开曼群岛大开曼岛
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN201810213579.8
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185 H03K19/003
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-04-09 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H03K 19/0185
登记生效日 : 20210329
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯(美国)集成电路科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20210329
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯(美国)集成电路科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2018-11-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/0185
申请日 : 20180315
申请日 : 20180315
2018-10-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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