氮极性III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其积体化的极...
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摘要
本发明是关于一种氮极性III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在元件设计上藉由氟离子结构使氮极性III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在氟离子结构下方处能呈现空乏状态，此时二维电子气位于氮化镓通道层与该氮化镓铝(y)层的接面处；尔后，藉由上述结构制作出氮化镓加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、混合型萧特基位障二极管或混合型元件，此时，经过极性反转制程步骤(也就是绝缘保护介电层所产生的应力)后，二维电子气从该氮化镓通道层与该氮化镓铝(y)层的接面处上升至该氮化镓通道层与该氮化镓铝(x)层的接面处。
基本信息
专利标题 ：
氮极性III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其积体化的极性反转制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109004033A
申请号 ：
CN201810534618.4
公开（公告）日 ：
2018-12-14
申请日 ：
2018-05-29
授权号 ：
CN109004033B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
黄知澍
申请人 ：
黄知澍
申请人地址 ：
中国台湾台北市大同区103凉州街2号6F-1
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN201810534618.4
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L21/335 H01L29/20
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-01-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20180529
申请日 : 20180529
2018-12-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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