III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其积体化的制作方法
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摘要
本发明是关于一种III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。包含有一基底；一位于基底上的氮化镓高阻值层；一位于氮化镓高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层；一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝阻障层；一位于氮化镓铝阻障层内的氟离子结构；以及一位于氟离子结构上的第一闸极绝缘介电层。氮化镓铝缓冲层是阻挡缓冲层缺陷的电子进入通道层进而降低电流崩塌效应的问题；藉由上述结构制作出氮化镓加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、混合型萧特基位障二极管或混合型元件加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管。
基本信息
专利标题 ：
III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其积体化的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109004026A
申请号 ：
CN201710418418.8
公开（公告）日 ：
2018-12-14
申请日 ：
2017-06-06
授权号 ：
CN109004026B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
黄知澍
申请人 ：
黄知澍
申请人地址 ：
中国台湾台北市大同区103凉州街2号6F-1
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN201710418418.8
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/205 H01L27/085 H01L27/06 H01L21/335 H01L21/265 H01L21/8232 H01L21/822
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-01-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20170606
申请日 : 20170606
2018-12-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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