具有多层缓冲层结构的氮化物型半导体元件及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种氮化物型半导体元件的多层缓冲层结构，该缓冲层结构包含由高温下成长的AlxInyGa1－x－yN所形成的第一层；以及由低温下成长的未掺杂或适当地掺杂GaN型材料所形成的第二层。在由GaN型材料所形成的第二层中，可掺杂Al或In；或是共掺杂下列元素组中的一组：Al/In、Si/In、Si/Al、Mg/In、Mg/Al、Si/Al/In及Mg/Al/In。在另一实施例中，该缓冲层结构包含GaN晶核层、AlInN薄层、GaN型主层、以及GaN型薄层，其中GaN晶核层于高温下成长，而其它层在较低温下成长。
基本信息
专利标题 ：
具有多层缓冲层结构的氮化物型半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979904A
申请号 ：
CN200510127540.7
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武良文简奉任
申请人 ：
璨圆光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园县
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN200510127540.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L21/20 H01S5/00
法律状态
2016-11-16 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101741759502
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101275407
登记生效日 : 20161028
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 璨圆光电股份有限公司
变更后权利人 : 晶元光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾桃园县
变更后权利人 : 中国台湾新竹市科学园区力行五路5号
号牌文件序号 : 101741759502
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101275407
登记生效日 : 20161028
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 璨圆光电股份有限公司
变更后权利人 : 晶元光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾桃园县
变更后权利人 : 中国台湾新竹市科学园区力行五路5号
2009-07-01 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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