一种基于水性纳米墨水制备铜锌锡硫薄膜的方法
授权
摘要
本发明涉及一种基于水性纳米墨水制备铜锌锡硫薄膜的方法，其包括如下步骤：(1)衬底的清洗；(2)前驱体溶液的制备；(3)Cu2ZnSnS4纳米墨水的制备；(4)Cu2ZnSnS4预制薄膜的制备，在惰性气氛下烘干并退火处理，制备结晶性较好的Cu2ZnSnS4薄膜。本发明所提供的微波法一步制备水性Cu2ZnSnS4纳米墨水具有低成本，环保，工艺简单且稳定性好的优点，并可以解决制备纳米颗粒后再制备纳米墨水易团聚的问题。本发明通过涂覆法将纳米墨水制备成薄膜，无需在硫化气氛退火，只需在惰性气氛退火处理即可得到高质量的Cu2ZnSnS4薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种基于水性纳米墨水制备铜锌锡硫薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109037042A
申请号 ：
CN201810845514.5
公开（公告）日 ：
2018-12-18
申请日 ：
2018-07-27
授权号 ：
CN109037042B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
王威支国伟郝凌云史翠花张昕曜
申请人 ：
金陵科技学院
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区弘景大道99号
代理机构 ：
南京知识律师事务所
代理人 ：
王小君
优先权 ：
CN201810845514.5
主分类号 ：
H01L21/208
IPC分类号 ：
H01L21/208 H01L31/18 H01L31/032
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/208
应用液体沉积的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-01-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/208
申请日 : 20180727
申请日 : 20180727
2018-12-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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