Cu基薄膜太阳电池光吸收层后处理及沉积缓冲层的方法
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摘要
本发明公开了一种Cu基薄膜太阳电池光吸收层后处理及沉积缓冲层的方法，所述后处理方法包括如下步骤：(1)配置氨水溶液，所述氨水溶液的浓度为0.1‑1M；(2)将光吸收层按所述光吸收层的待处理表面与所述氨水溶液的液面呈预定角度放置在所述氨水溶液中进行处理1‑10min，处理温度为25‑65℃；(3)取出处理后的光吸收层，清洗后吹干。本发明可以改善光吸收层的表面成分及形貌，以更利于光吸收层和缓冲层Zn(O,S)的之间的相互扩散，在沉积缓冲层Zn(O,S)时，Zn(O,S)薄膜的晶粒更大，最终制备得到的Cu基薄膜太阳电池的性能得到了提高，同时大幅度减弱了光浸润效应。
基本信息
专利标题 ：
Cu基薄膜太阳电池光吸收层后处理及沉积缓冲层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110896109A
申请号 ：
CN201811066796.5
公开（公告）日 ：
2020-03-20
申请日 ：
2018-09-13
授权号 ：
CN110896109B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
李建民宫俊波孔一帆肖旭东
申请人 ：
香港中文大学
申请人地址 ：
中国香港新界沙田
代理机构 ：
深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莉
优先权 ：
CN201811066796.5
主分类号 ：
H01L31/0392
IPC分类号 ：
H01L31/0392 H01L31/18
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-04-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0392
申请日 : 20180913
申请日 : 20180913
2020-03-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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