差分电路和模拟集成电路

授权

摘要

本申请涉及一种差分电路和模拟集成电路，将差分电路中的差分管和负载管的分管设置在dummy管之间，并设置为第一差分管的分管到dummy管的分管的有源区长度等于第二差分管的分管到dummy管的分管的有源区长度，第一负载管的分管到dummy管的分管的有源区长度等于第二负载管的分管到dummy管的分管的有源区长度，使得第一差分管和第二差分管的分管周围的环境一致，以及第一负载管与第二负载管的分管周围的环境一致，从而获得良好的工艺匹配，降低加工过程中LOD效应对核心器件的影响。此外，利用dummy管使阱边缘远离差分管和负载管，从而降低WPE效应。如此，可保证在深亚微米工艺条件下有效降低LOD效应和WPE效应对电路的影响，提高了深亚微米工艺条件下的电路性能。

基本信息

专利标题：

差分电路和模拟集成电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111081701A

申请号：

CN201811220260.4

公开（公告）日：

2020-04-28

申请日：

2018-10-19

授权号：

CN111081701B

授权日：

2022-04-08

发明人：

王聪张永光殷慧萍谢育桦张亮王静徐以军彭新朝冯玉明黄穗彪

申请人：

珠海格力电器股份有限公司

申请人地址：

广东省珠海市香洲区前山金鸡西路

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

黄晓庆

优先权：

CN201811220260.4

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02