半导体制程控制方法、装置、设备及可读存储介质
授权
摘要
本申请公开一种半导体制程控制方法、装置、设备及可读存储介质。该控制方法包括：分别获取半导体制程中被选取出的多个历史参考周期的晶圆的多个量测值；根据多个量测值与目标值，确定批次控制中EWMA控制器的加权因子；根据加权因子，确定当前周期的建议生产参数值；以及将当前周期的建议生产参数值反馈至半导体制程。该控制方法能够提高生产建议参数的稳定度，提升量测值逼近目标值的能力。
基本信息
专利标题 ：
半导体制程控制方法、装置、设备及可读存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111180350A
申请号 ：
CN201811339905.6
公开（公告）日 ：
2020-05-19
申请日 ：
2018-11-12
授权号 ：
CN111180350B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
陈振豪
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁礼君
优先权 ：
CN201811339905.6
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-06-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20181112
申请日 : 20181112
2020-05-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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