一种利用恶臭假单胞菌自修饰制备的多孔碳材料及其制备方法和...
授权
摘要
本发明公开了一种利用恶臭假单胞菌自修饰制备的多孔碳材料及其制备方法和应用。通过改变培养基的成分调控恶臭假单胞菌(Pseudomonas putidaKT2440，保藏编号ATCC No.47054)自身积累PHA，直接采用离心收集的菌体进行碳化无需任何活化步骤制备分级多孔碳材料。本发明的细菌自修饰衍生多孔碳材料具有大量中孔结构。将其用作超级电容器电极材料，在电流密度为0.5A/g时，其比容达298F/g；电流密度增大到20A/g时，其比容保持为234F/g，显示了良好的电容量和优异的倍率性能。本制备方法具有新颖、操作简单、制备成本低等优点，制备的材料具有分级孔径、比表面积大、导电性好、电化学性能优异的特点，是一种理想的超级电容器或电池用电极材料。
基本信息
专利标题 ：
一种利用恶臭假单胞菌自修饰制备的多孔碳材料及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109399604A
申请号 ：
CN201811364098.3
公开（公告）日 ：
2019-03-01
申请日 ：
2018-11-16
授权号 ：
CN109399604B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
石岩张可菁刘明人司梦莹颜旭柴立元杨志辉
申请人 ：
中南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
代理机构 ：
长沙市融智专利事务所
代理人 ：
魏娟
优先权 ：
CN201811364098.3
主分类号 ：
C01B32/05
IPC分类号 ：
C01B32/05 H01G11/24 H01G11/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/05
不包括在C01B 32/15, C01B 32/20, C01B 32/25, C01B 32/30中的碳的制备或纯化
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/05
申请日 : 20181116
申请日 : 20181116
2019-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
