应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法

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摘要

本发明属于计算机技术领域，具体涉及一种应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法。与现有技术相比较，本发明的优化方法以芯片中闪存块的磨损程度划分闪存芯片的寿命阶段，推迟了损耗均衡处理的开始时间，减少了一定的损耗均衡处理到来的额外开销。动态阈值计算单元的加入可以确保闪存芯片在擦除次数处于不同数值范围对磨损不均衡度有不同程度的控制，而不是只能控制在一个固定的较大的范围内，提高了闪存芯片在使用后期时的利用率。此外，数据迁移单元提供的数据迁移机制可以保护擦除次数较大的闪存块，降低它们被垃圾回收模块选中擦除的概率。

基本信息

专利标题：

应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109684119A

申请号：

CN201811484884.7

公开（公告）日：

2019-04-26

申请日：

2018-12-06

授权号：

CN109684119B

授权日：

2022-05-17

发明人：

李明洋杨硕杨阳王晓璐

申请人：

天津津航计算技术研究所

申请人地址：

天津市东丽区空港经济区保税路357号

代理机构：

中国兵器工业集团公司专利中心

代理人：

周恒

优先权：

CN201811484884.7

主分类号：

G06F11/07

IPC分类号：

G06F11/07 G06F12/123