二次压入实现凹坑形微阵列结构单元表面平坦化的方法
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摘要
本发明涉及一种二次压入实现凹坑形微阵列结构单元表面平坦化的方法，属于机械领域。针对凹坑形微阵列结构单元的机械加工过程进行模拟，即使用维氏压头压入材料表面形成特征尺寸为微米级的凹坑单元，由于材料表面受力的作用会在凹坑周边形成凸起现象并伴随残余应力的存在。为使表面平坦化和降低表面残余应力，使用立方角压针垂直压入特征尺寸为微米级的凹坑单元侧面，形成特征尺寸为纳米级的压痕，释放材料存储的残余应力，以达到使功能表面平坦化的目的。此方法为精密机械加工技术制造的微阵列结构功能表面提供了表面平坦化方法。操作简单，设备功能丰富，可用于大规模的成批机械加工。
基本信息
专利标题 ：
二次压入实现凹坑形微阵列结构单元表面平坦化的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109740184A
申请号 ：
CN201811492638.6
公开（公告）日 ：
2019-05-10
申请日 ：
2018-12-07
授权号 ：
CN109740184B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
马志超蒋东颖任露泉强振峰马筱溪杜希杰严家琪张红诏卢坊州张微
申请人 ：
吉林大学
申请人地址 ：
吉林省长春市前进大街2699号
代理机构 ：
吉林长春新纪元专利代理有限责任公司
代理人 ：
王怡敏
优先权 ：
CN201811492638.6
主分类号 ：
G06F17/50
IPC分类号 ：
G06F17/50
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-06-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 17/50
申请日 : 20181207
申请日 : 20181207
2019-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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