一种双控存储阵列固态硬盘缓存加速方法
授权
摘要

本发明涉及一种双控存储阵列固态硬盘缓存加速方法,涉及计算机存储技术领域。本发明提供一种双存储控制器的缓存加速方法,实现一个存储控制器失效以后,数据的存储操作由另一个控制器接管,即缓存系统仍旧可以继续在另一个控制器工作,并保证数据存储服务不中断。两个存储控制器中的缓存索引树实时同步,处于镜像状态。当一个存储控制器发生故障失效时,另一个控制器能够在故障点无缝接管该控制器上的存储服务。本发明既保证了SSD缓存存储的高效性能,又保证了SSD缓存存储的高可靠性。

基本信息
专利标题 :
一种双控存储阵列固态硬盘缓存加速方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109739696A
申请号 :
CN201811522575.4
公开(公告)日 :
2019-05-10
申请日 :
2018-12-13
授权号 :
CN109739696B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
田鹏马建鹏杨扬万琨
申请人 :
北京计算机技术及应用研究所
申请人地址 :
北京市海淀区永定路51号
代理机构 :
中国兵器工业集团公司专利中心
代理人 :
王雪芬
优先权 :
CN201811522575.4
主分类号 :
G06F11/20
IPC分类号 :
G06F11/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F11/00
错误检测;错误校正;监控
G06F11/07
响应错误的产生,例如,容错
G06F11/16
用硬件中的冗余作数据的错误检测或校正
G06F11/20
应用积极故障掩膜,例如,用断开故障元件或接通备用元件作数据的错误检测或校正
法律状态
2022-05-13 :
授权
2019-06-04 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 11/20
申请日 : 20181213
2019-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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