发光元件以及发光装置
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摘要
本发明涉及发光元件、发光装置。所述发光元件为一对电极之间包括发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层。第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形成激基复合物的第三层。第二层位于第一层上，而第三层位于第二层上。第二层的发射峰波长长于第一层的发射峰波长及第三层的发射峰波。
基本信息
专利标题 ：
发光元件以及发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110071219A
申请号 ：
CN201811630083.7
公开（公告）日 ：
2019-07-30
申请日 ：
2014-11-19
授权号 ：
CN110071219B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
川田琢也大泽信晴野中裕介石曾根崇浩濑尾哲史
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
贾成功
优先权 ：
CN201811630083.7
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/00
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法律状态
2022-04-29 ：
授权
2019-08-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20141119
申请日 : 20141119
2019-07-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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