超声波指纹传感器制造方法
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摘要

提供超声波指纹传感器的制造方法。超声波指纹传感器的制造方法包括:准备按预先指定的非完全烧结条件烧结的压电片形态的陶瓷烧结体的步骤;在所述陶瓷烧结体的第一表面方向按预先指定的间隔向第一方向平行地切削加工至第二表面侧剩下残留区域的深度并在所述陶瓷烧结体的第二表面方向按预先指定的间隔向垂直于第一方向的第二方向平行地切削加工至所述第一表面侧剩下残留区域的深度形成陶瓷加工体的步骤;按预先指定的完全烧结条件对所述陶瓷加工体进行烧结处理的步骤;向通过切削加工形成于所述陶瓷加工体的槽填充绝缘材料的步骤;以及进行研磨处理去除分别位于第一表面侧与第二表面侧的残留区域使在第一表面的方向与第二表面的方向露出分别排列成阵列形态的压电棒的步骤。

基本信息
专利标题 :
超声波指纹传感器制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109417126A
申请号 :
CN201880002089.1
公开(公告)日 :
2019-03-01
申请日 :
2018-03-14
授权号 :
CN109417126B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
朴相泳朴永台
申请人 :
BEFS株式会社
申请人地址 :
韩国首尔
代理机构 :
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 :
延美花
优先权 :
CN201880002089.1
主分类号 :
H01L41/22
IPC分类号 :
H01L41/22  H01L41/09  H01L41/337  H01L41/338  H01L41/43  H01L41/047  G06K9/00  
法律状态
2022-05-03 :
授权
2021-07-27 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 41/22
登记生效日 : 20210715
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : BEFS株式会社
变更后权利人 : (株) 凯希思
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔
变更后权利人 : 韩国仁川
2019-03-26 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 41/22
申请日 : 20180314
2019-03-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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