一种用于存储设备的存储器控制电路
授权
摘要
一种存储器控制电路(400)，涉及数字电路领域，用于读写非易失性存储器(160)中的数据，包括同或电路(420)和读写控制电路(440)。同或电路(420)用于对多个数据块做按位同或运算并产生冗余数据块，读写控制电路(440)用于将多个数据块和冗余数据块写入非易失性存储器(160)，以及从非易失性存储器(160)中读取多个数据块，其中多个数据块和冗余数据块存储于一个存储单元中。其中，非易失性存储器(160)包括多个存储单元，每个存储单元的容量为n比特且具有2n个存储状态，多个数据块的个数为n‑1个，n为大于等于2的整数。由于每个存储单元中只有2n‑1个存储状态用于保存数据，因此存储状态对应的阈值电压的差值变为原来的两倍左右，使得存储状态的重叠程度下降，减小存储器控制电路(400)读出错误数据的几率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于存储设备的存储器控制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111406282A
申请号 ：
CN201880076748.6
公开（公告）日 ：
2020-07-10
申请日 ：
2018-04-23
授权号 ：
CN111406282B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
范茜周威单明星
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人 ：
申健
优先权 ：
CN201880076748.6
主分类号 ：
G11C7/00
IPC分类号 ：
G11C7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/00
数字存储器信息的写入或读出装置
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-08-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/00
申请日 : 20180423
申请日 : 20180423
2020-07-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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