基于聚偏二氯乙烯氮掺杂多孔碳材料及其制备方法和应用
授权
摘要
本发明公开了基于聚偏二氯乙烯氮掺杂多孔碳材料，以聚偏二氯乙烯为碳源，以碱性含氮化合物乙二胺或二乙烯三胺为去卤化剂和氮源，经一步法实现脱氯和氮掺杂，最后通过煅烧活化制得。基于聚偏二氯乙烯氮掺杂多孔碳材料的制备方法，包括以下步骤：1）一步法脱氯和氮掺杂；2）碳前驱体的煅烧活化。作为超级电容器电极材料的应用，当电流密度为0.5A g‑1时，比电容值范围在401‑470 F g‑1。本发明具有以下优点：1.实现PVC、PVDC回收利用；2.实现常温下对聚偏二氯乙烯进行去卤化；在多孔碳材料和超级电容器领域具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
基于聚偏二氯乙烯氮掺杂多孔碳材料及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109824029A
申请号 ：
CN201910243578.2
公开（公告）日 ：
2019-05-31
申请日 ：
2019-03-28
授权号 ：
CN109824029B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
徐芬卢垚孙立贤吴怡吴伟逸钟泞宽张焕芝于芳褚海亮
申请人 ：
桂林电子科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
代理机构 ：
桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司
代理人 ：
罗玉荣
优先权 ：
CN201910243578.2
主分类号 ：
C01B32/05
IPC分类号 ：
C01B32/05 H01G11/24 H01G11/30 H01G11/34 H01G11/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/05
不包括在C01B 32/15, C01B 32/20, C01B 32/25, C01B 32/30中的碳的制备或纯化
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-06-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/05
申请日 : 20190328
申请日 : 20190328
2019-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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