一种用多晶硅切片硅粉生产四氯化硅的方法
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摘要
一种用多晶硅切片硅粉生产四氯化硅的方法，属于精细化工技术领域；制备方法：(1)将多晶硅切片产生的硅粉，洗去盐分，自然风干；(2)将风干后的硅粉滤饼采用微波干燥；(3)将氯化炉升温，当炉温≥500℃，将硅粉加入，并通入氯气；当氯化炉温度≥1150℃时，同时向炉内加入硅粉、氧化物和石油焦粉，持续通入氯气，控制炉温和床层压力，进行加碳氯化反应，反应过程要连续加料；(4)当床层压力≥15kpa、炉温≤1140℃、且持续时间超过20分钟时，将未反应的物料从排渣管排出，之后继续进料维持连续反应；每小时分析尾气中CO、CO2、Cl2含量，监控炉温及时调整配比，稳定运行可以连续生产四氯化硅。
基本信息
专利标题 ：
一种用多晶硅切片硅粉生产四氯化硅的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110357110A
申请号 ：
CN201910700767.8
公开（公告）日 ：
2019-10-22
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN110357110B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
刘长河薛庆山韩志强
申请人 ：
锦州中特电炉有限公司
申请人地址 ：
辽宁省锦州市武汉街兴业金典2号楼43号
代理机构 ：
沈阳东大知识产权代理有限公司
代理人 ：
李珉
优先权 ：
CN201910700767.8
主分类号 ：
C01B33/107
IPC分类号 ：
C01B33/107
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/08
含卤素的化合物
C01B33/107
卤化硅烷
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2019-11-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/107
申请日 : 20190731
申请日 : 20190731
2019-10-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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