一种打开石墨烯带隙的方法
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摘要
本发明公开了一种打开石墨烯带隙的方法，属于半导体电子技术领域，包括以下步骤：分别制备氧化镓层和石墨烯层；将石墨烯层转移至氧化镓层上，通过氧化镓和石墨烯之间的电荷转移改变石墨烯的电子结构，形成氧化镓/石墨烯异质结，实现石墨烯带隙的打开；本发明提供的打开石墨烯带隙的方法，制备工艺简单，器件结构清晰，能够较大程度的有效打开石墨烯带隙，对于将石墨烯应用到半导体电子器件领域有着重要的意义。
基本信息
专利标题 ：
一种打开石墨烯带隙的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110429026A
申请号 ：
CN201910752677.3
公开（公告）日 ：
2019-11-08
申请日 ：
2019-08-15
授权号 ：
CN110429026B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
苏杰袁海东林珍华常晶晶郝悦
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐云侠
优先权 ：
CN201910752677.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C01B32/186 C01B32/194
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2019-12-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190815
申请日 : 20190815
2019-11-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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