一种用于单分子荧光限域激发的纳米微阵列近场结构
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摘要

本发明公开了一种用于单分子荧光限域激发的纳米微阵列近场结构,包括基底和电介质填充部分,所述电介质填充部分均匀的阵列在基底中,所述电介质填充部分均在高度H方向上贯穿基底,所述基底材料为导电金属,所述电介质填充部分为透明材质。本发明的近场机构将单个荧光分子的激发限制在一个开放的平面上的纳升体积内,利用了介质填充等离激元纳米孔将激发限域到开放表面,有效降低了生物大分子与进入激发体积的空间位阻,与零模波导相比,该结构具有更优良的性能,且可以从上下两个方向采集单分子荧光信号,测试中应用灵活。

基本信息
专利标题 :
一种用于单分子荧光限域激发的纳米微阵列近场结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110749580A
申请号 :
CN201910881519.8
公开(公告)日 :
2020-02-04
申请日 :
2019-09-18
授权号 :
CN110749580B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
赵祥伟崔玉军
申请人 :
东南大学
申请人地址 :
江苏省南京市江宁区东南大学路2号
代理机构 :
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
柏尚春
优先权 :
CN201910881519.8
主分类号 :
G01N21/64
IPC分类号 :
G01N21/64  G01N33/68  G01N33/543  G01N33/533  G01N33/535  C12Q1/6869  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发,因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/64
荧光;磷光
法律状态
2022-05-10 :
授权
2020-02-28 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/64
申请日 : 20190918
2020-02-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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