本发明公开了一种基于空间限域策略制备单层二硒化钨纳米带的方法。本发明通过改变氢气的流量和生长时间，可以实现对纳米带宽度与厚度的有效调控，包括如下步骤：将三氧化钨粉末均匀洒到一片基底上，然后用另一片基底盖在上面，形成类“三明治”结构的微型反应空间。利用常压化学气相沉积的方法进行二硒化钨纳米带的生长；一维过渡金属硫属化合物的物理化学特性强烈依赖于其边缘悬挂键类型，超窄带显示出金属性质，而较宽的带从其边缘到中心显示出金属性质到半导体性质的转变；这一特殊性质使得二硒化钨纳米带在微纳光电器件中具有广泛的应用；且依据本发明的实验方法，可实现二硒化钨纳米带的工业化生产。