一种钨单晶表面台阶限域二维氮化钨的制备方法
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摘要
本发明涉及一种钨单晶表面台阶限域的二维氮化钨制备方法，主要包括以下步骤：对单晶W进行表面预处理；将预处理后的W衬底加热至600～670℃，并通入氨气，氨气压力为1×10‑7～1×10‑6Torr，通过表面成像仪器进行实时成像，原位观察单晶W表面氮化钨的生长，氮化钨达到所需覆盖度后，在氨气下进行降温，得到所述二维氮化钨。这种通过调变温度和气氛压力直接氮化衬底的制备方法，简单易行，制备过程中使用表面成像仪器进行实时成像，使其结构易于控制，可以扩展到其他过渡金属氮化物的可控制备，为后续氮化物薄膜材料的可控制备和应用研究奠定了良好的基础。
基本信息
专利标题 ：
一种钨单晶表面台阶限域二维氮化钨的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113373441A
申请号 ：
CN202010157190.3
公开（公告）日 ：
2021-09-10
申请日 ：
2020-03-09
授权号 ：
CN113373441B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
傅强孟彩霞包信和
申请人 ：
中国科学院大连化学物理研究所
申请人地址 ：
辽宁省大连市沙河口区中山路457号
代理机构 ：
大连东方专利代理有限责任公司
代理人 ：
张玉莹
优先权 ：
CN202010157190.3
主分类号 ：
C23C26/00
IPC分类号 ：
C23C26/00 C01B21/06 B82Y30/00 B82Y40/00 B01J27/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C26/00
不包含在C23C2/00至C23C24/00各组中的镀覆
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-09-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 26/00
申请日 : 20200309
申请日 : 20200309
2021-09-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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