一种等温分布的介质槽隔离结构SiGeHBT阵列
授权
摘要
一种等温分布的介质槽隔离结构SiGe HBT阵列，应用于无线通信系统、全球定位系统等射频功率集成电路中。由M×N个SiGe HBT单元构成，且每个单元均包含浅槽隔离结构和共用的深槽隔离结构。其中深槽隔离结构用于相邻单元间的隔离，浅槽隔离结构用于单元内部电极间隔离。同时，依据各单元位于SiGe HBT阵列中的位置，浅槽隔离结构深度由中心处向四周呈增大的对称分布；深槽隔离结构距单元中心处长度或宽度按照由中心向两侧呈线性减小的对称分布。与常规SiGe HBT阵列相比，本发明所述SiGe HBT阵列可有效改善各单元峰值结温分布和功率分布均匀性，进而实现稳态和瞬态热效应的同时改善。
基本信息
专利标题 ：
一种等温分布的介质槽隔离结构SiGeHBT阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111081702A
申请号 ：
CN201911128738.5
公开（公告）日 ：
2020-04-28
申请日 ：
2019-11-18
授权号 ：
CN111081702B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
孙晟金冬月张万荣吴玲曹路明贾晓雪
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘萍
优先权 ：
CN201911128738.5
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/737 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-05-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20191118
申请日 : 20191118
2020-04-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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