一种多层介质隔离结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种多层介质隔离结构，包括基底和至少一形成于基底上的金属互联结构，金属互联结构包括第一金属层和第二金属层，第一金属层与第二金属层连接，还包括粘附层、钝化层、平坦化层和保护层；粘附层、钝化层和平坦化层依次覆盖于基底上；粘附层、钝化层和平坦化层所形成的结构覆盖第一金属层并在第一金属层的顶部上开设第一通孔；保护层覆盖于平坦化层表面和第一通孔的内壁；第一金属层设于基底上，第二金属层凸设于保护层上并延伸至第一通孔内与第一金属层接触，平坦化层的厚度大于第一金属层的厚度。本实用新型通过在既有的半导体器件表面形成隔离结构，可提升金属互联隔离效果、降低器件表面平粗糙度。
基本信息
专利标题 ：
一种多层介质隔离结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021677046.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN212676237U
授权日 ：
2021-03-09
发明人 ：
郭德霄林科闯汪晓媛王立阁何俊蕾刘成叶念慈
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021677046.4
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2021-03-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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