一种纳米金刚石中高亮度硅空位色心的制备方法
授权
摘要
本发明涉及金刚石色心领域，具体为一种纳米金刚石中高亮度硅空位色心的制备方法。基于气体掺杂方式在微波等离子体化学气相沉积设备引入四甲基硅烷气体，在衬底上生长硅掺杂纳米金刚石薄膜，金刚石晶粒尺寸小于100nm，采用机械剥离或者湿法刻蚀方法将衬底去掉，得到自支撑薄膜并研磨处理得到纳米金刚石粉体，将纳米金刚石粉体进行550～650℃空气气氛下退火5～10min，获得硅空位色心在室温激发条件下其738nm荧光峰与金刚石拉曼峰强度比值大于10。从而，在纳米金刚石中可控掺杂硅原子获得硅空位色心，并实现硅空位色心在室温条件下高亮度发光的颗粒制备。本发明制备的纳米金刚石具有非常强的SiV发光性能，可以用于生物荧光标记，高精度温度磁性测量等领域。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米金刚石中高亮度硅空位色心的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111099586A
申请号 ：
CN201911184872.7
公开（公告）日 ：
2020-05-05
申请日 ：
2019-11-27
授权号 ：
CN111099586B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
杨兵姜辛喻彪黄楠刘鲁生
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 ：
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张志伟
优先权 ：
CN201911184872.7
主分类号 ：
C01B32/26
IPC分类号 ：
C01B32/26 C01B32/28
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/25
金刚石
C01B32/26
制备
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-05-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/26
申请日 : 20191127
申请日 : 20191127
2020-05-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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