金刚石NV色心光电传感器、阵列及其制备方法
授权
摘要
本发明提供了一种金刚石NV色心光电传感器、阵列及其制备方法，所述光电传感器包括金刚石衬底、外延生长在金刚石衬底表面的掺氮外延层、设置在掺氮外延层上表面的滤光膜和生长在滤光膜表面的光电传感器。所述制备方法为在金刚石衬底上首先制作产生NV色心的金刚石柱，然后进行平面填充后，制作滤光膜和光电传感器，最后将平面填充的的材料去除，得到金刚石NV色心光电传感器阵列。本发明制备的金刚石NV色心光电传感器实现了微小尺寸的集成和批量化生产。
基本信息
专利标题 ：
金刚石NV色心光电传感器、阵列及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112331724A
申请号 ：
CN202011134697.3
公开（公告）日 ：
2021-02-05
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
CN112331724B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
高学栋冯志红蔚翠郭建超周闯杰何泽召刘庆彬
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
秦敏华
优先权 ：
CN202011134697.3
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/028 H01L31/18
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-02-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0216
申请日 : 20201021
申请日 : 20201021
2021-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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