一种超导转变边探测器的制备方法
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摘要
本申请提供一种超导转变边探测器的制备方法，包括以下步骤：通过磁控溅射方法在衬底上制备铝(Al)薄膜；对Al薄膜进行光刻和湿法刻蚀处理；获取探测器薄膜和电极图形；对Al薄膜再次进行光刻处理，采用光刻胶覆盖电极图形区域；采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行锰(Mn)离子注入；通过调整Mn离子的注入量能够调整探测器薄膜的超导转变温度，超导转变温度范围为1.2K‑50mK；去除所述光刻胶；获取待处理器件。本申请实施例采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行Mn离子注入，电极区域不进行Mn离子注入，如此，能够实现基于同一层Al薄膜通过选区注入实现探测器和超导电极两种不同超导转变温度的薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种超导转变边探测器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111063788A
申请号 ：
CN201911186950.7
公开（公告）日 ：
2020-04-24
申请日 ：
2019-11-27
授权号 ：
CN111063788B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
高波吕越黄浩游天桂欧欣王镇
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN201911186950.7
主分类号 ：
H01L39/24
IPC分类号 ：
H01L39/24 H01L39/02 G01T1/00
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-05-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 39/24
申请日 : 20191127
申请日 : 20191127
2020-04-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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