一种蚀刻后的表面防氧化处理装置
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摘要
本发明公开了一种蚀刻后的表面防氧化处理装置，涉及防氧化技术领域。该蚀刻后的表面防氧化处理装置，包括液压仓A，所述液压仓A包括液压仓A内壁，所述液压仓A内壁与活塞C为密封活塞连接，所述活塞C的顶端与活塞传动杆A的底端固定连接，所述活塞传动杆A的顶端与活塞A的底端固定连接，所述活塞A与液压仓C为密封活塞连接，所述液压仓C的内部设置有活塞挡板，该蚀刻后的表面防氧化处理装置能够实现单种药剂不停机作业，大大的提高了工作效率，提升了产品的品质，该蚀刻后的表面防氧化处理装置能够实现不同工艺的生产需要，当生产工艺需要两种或以上的药剂的时候可以实现多种药剂依次对所需产品进行防氧化处理。
基本信息
专利标题 ：
一种蚀刻后的表面防氧化处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111162026A
申请号 ：
CN201911353419.4
公开（公告）日 ：
2020-05-15
申请日 ：
2019-12-25
授权号 ：
CN111162026B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
沈方晨
申请人 ：
绍兴华立电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市袍江工业区洋江东路35号绍兴华立电子有限公司
代理机构 ：
浙江永鼎律师事务所
代理人 ：
陆永强
优先权 ：
CN201911353419.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-06-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20191225
申请日 : 20191225
2020-05-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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