一种压阻式双轴运动传感器
授权
摘要
本申请提供一种压阻式双轴运动传感器，该压阻式双轴运动传感器包括SOI硅片，包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层；第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，形成于第二单晶硅层靠近第一氧化硅层的一侧；质量块，形成于第二单晶硅层上，且形成于第一刻蚀槽和第二刻蚀槽之间；掺杂层，形成于第二单晶硅层背离第一氧化硅层的一侧；第二氧化硅层，形成于第二单晶硅层和掺杂层上；焊接层，形成第二单晶硅层和掺杂层上，且形成于第二氧化硅层中；隔离槽，形成于第二刻蚀槽远离质量块的一侧；其中隔离槽与质量块、第一刻蚀槽、第二刻蚀槽同时形成。通过上述方式，能够降低封装引起的残余应力和温度系数。
基本信息
专利标题 ：
一种压阻式双轴运动传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920483827.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-10
授权号 ：
CN209721578U
授权日 ：
2019-12-03
发明人 ：
辛胜男陈浩
申请人 ：
北京盛通恒瑞科贸有限公司
申请人地址 ：
北京市平谷区大华山镇大华山大街269号
代理机构 ：
广东君龙律师事务所
代理人 ：
丁建春
优先权 ：
CN201920483827.0
主分类号 ：
B81B7/00
IPC分类号 ：
B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00 G01D5/16
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
法律状态
2019-12-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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