一种基于IGBT的饱和压降检测电路
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种基于IGBT的饱和压降检测电路，所述饱和压降检测电路位于电源和三相交流电机的线路上，所述饱和压降检测电路包括：第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、第五IGBT单元和第六IGBT单元、饱和压降检测单元、门极驱动单元、电流检测单元和霍尔传感器。在本实用新型实施例中基于该饱和压降检测电路配合电流检测单元可以实现对相应线路上各IGBT单元的饱和压降检测功能，使得对各IGBT单元的监控和维护实现了可能性。
基本信息
专利标题 ：
一种基于IGBT的饱和压降检测电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920512095.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-15
授权号 ：
CN209946257U
授权日 ：
2020-01-14
发明人 ：
车兰秀徐之文薛英杰邱瑞鑫
申请人 ：
广州华工科技开发有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市天河区石牌华南理工大学内
代理机构 ：
佛山市广盈专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
李俊
优先权 ：
CN201920512095.3
主分类号 ：
G01R19/25
IPC分类号 ：
G01R19/25 G01R31/26 G01R31/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
G01R19/25
采用数字测量技术
法律状态
2020-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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