一种同步整流MOS管压降内阻检测电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种同步整流MOS管压降内阻检测电路，用于检测反激电路次级端的MOS管Q2的内阻，其特征在于，包括运放IC1A，一端与运放IC1A的3引脚连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R2，一端与运放IC1A的2引脚连接、另一端与MOS管Q2的源极连接的电阻R3；所述运放IC1A的8引脚接电源，其1引脚形成检测点C，其4引脚与MOS管Q2的源极相连接的同时形成检测点A。本实用新型可以直接测试到同步整流MOS在电源上使用时的实际内阻大小，缩短了同步MOS管的测试验证时间，更加方便生产者对电源次级同步MOS的优化筛选。
基本信息
专利标题 ：
一种同步整流MOS管压降内阻检测电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123121095.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
CN216526041U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
庞继浩杨昌盛高传坤高琼瑶王克成
申请人 ：
东科半导体（安徽）股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省马鞍山市经济技术开发区银黄东路999号数字硅谷产业园38栋101-401
代理机构 ：
成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
饶振浪
优先权 ：
CN202123121095.7
主分类号 ：
G01R27/02
IPC分类号 ：
G01R27/02 G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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