一种应用于单晶铸造炉的结晶环
授权
摘要
本实用新型提供了一种应用于单晶铸造炉的结晶环，包含结晶盘和冷却装置，模壳放置在结晶盘上，所述冷却装置包含气冷部和水冷部，所述气冷部位于水冷部的上方，所述气冷部输出的惰性气体环绕在所述模壳的四周，形成位于上部的气冷区，所述水冷部环绕在所述模壳的外周，形成位于下部的水冷区，且所述气冷区和所述水冷区之间形成预设的温度梯度。本实用新型的应用于单晶铸造炉的结晶环，由于配置了气冷部和水冷部，对应形成了气冷区和水冷区，且所述气冷区和所述水冷区之间形成预设的温度梯度，也即生成了非常高的温度梯度，使得冷却均匀且冷却速度快，并有助于改进拉单晶工艺，提高单晶叶片的产品生产率和性能。
基本信息
专利标题 ：
一种应用于单晶铸造炉的结晶环
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920521020.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-17
授权号 ：
CN209873177U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
朱伟陈睿朱兴发李亚逸
申请人 ：
苏州振吴电炉有限公司;苏州振湖电炉有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中区石湖西路北侧
代理机构 ：
北京天奇智新知识产权代理有限公司
代理人 ：
任毅
优先权 ：
CN201920521020.1
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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