微带分支线结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种微带分支线结构，其安装于超高频射频识别系统，所述超高频射频识别系统用于读取超高频射频识别标签，所述微带分支线结构包括介质基材、形成于介质基材第一表面的导体、形成于所述介质基材第二表面的接地部，所述导体包括微带主传输线、垂直延伸于所述微带主传输线一侧的若干分支线、分别位于所述微带主传输线自由端的第一连接部、第二连接部，因为用于超高频射频识别的微带分支线结构或多个微带分支线级联后的整体结构的最末端连接匹配负载，所以整个强磁近场体现出相位峰谷实时变化的行波特性，而不再是驻波，这就避免了弱区盲区的出现。
基本信息
专利标题 ：
微带分支线结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920567087.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-24
授权号 ：
CN210182562U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
颜力张清波
申请人 ：
南京思追特电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市建邺区水西门大街272号金基大厦4A03
代理机构 ：
南京鸿越知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘娟娟
优先权 ：
CN201920567087.9
主分类号 ：
H01Q1/22
IPC分类号 ：
H01Q1/22 H01Q1/38 H01Q1/48 H01Q1/50
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
