在嵌入式系统中实现掉电Flash保存的电路
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摘要

本实用新型公开了在嵌入式系统中实现掉电Flash保存的电路,其特征在于:包括脉冲信号输出电路和直流电源供电电路,脉冲信号输出电路具有D1、D2二极管、R1限流电阻、Z1稳压管和R2、R3分压电阻,D1、D2二极管的输入端与变压器次极的两端相连,D1、D2二极管的输出端合并后与R1限流电阻和R2、R3分压电阻依次串联,Z1稳压管与R2、R3分压电阻并联,R2、R3分压电阻之间设有端子连接单片机的I/O口;直流电源供电电路具有W1整流桥和C1电解电容,W1整流桥的端子1、3连接于变压器次极的两端,W1整流桥的端子2、4与C1电解电容的正负端相连,W1整流桥的端子2连线单片机的直流电源供给线路。本实用新型利用Flash存储手段解决线性电源供电的嵌入式系统的掉电数据保护,降低成本并提高可靠性。

基本信息
专利标题 :
在嵌入式系统中实现掉电Flash保存的电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920596383.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-28
授权号 :
CN209641354U
授权日 :
2019-11-15
发明人 :
南志超王重胜林一河
申请人 :
浙江万松电气有限公司
申请人地址 :
浙江省温州市瑞安市红旗工业区
代理机构 :
杭州斯可睿专利事务所有限公司
代理人 :
薛辉
优先权 :
CN201920596383.1
主分类号 :
G11C16/22
IPC分类号 :
G11C16/22  G11C16/30  G11C5/14  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/22
防止对存储单元的未授权或意外访问的安全或保护电路
法律状态
2019-11-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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