一种基于外腔差频的快速可调谐中红外辐射源装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种基于外腔差频的快速可调谐中红外辐射源装置，泵浦源采用Nd:YAG调Q激光器；泵浦光倍频晶体采用KTP晶体，倍频晶体切角满足Ⅱ类相位匹配条件，外腔差频晶体为BaGa4Se7晶体，对侧面进行光学抛光，晶体置于可旋转振镜平台之上，与计算机相连，采用计算机控制改变BaGa4Se7晶体以及KTP‑OPO中KTP晶体的外加电压，从而实现KTP‑OPO波长以及差频输出中红外辐射的波长快速调谐。本实用新型实现具有转换效率高、室温运转、调谐速度快、结构紧凑切易于实现的高性能中红外辐射源，同时通过电脑同时控制KTP‑OPO输出波长以及BaGa4Se7晶体的相位匹配条件实现中红外波长快速调谐。
基本信息
专利标题 ：
一种基于外腔差频的快速可调谐中红外辐射源装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920598156.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-28
授权号 ：
CN209929676U
授权日 ：
2020-01-10
发明人 ：
贺奕焮徐德刚王与烨闫超唐隆煌姚建铨
申请人 ：
天津市智慧物联信息技术研究院
申请人地址 ：
天津市西青区学府工业区睿智道2号40号楼
代理机构 ：
天津企兴智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨娥
优先权 ：
CN201920598156.2
主分类号 ：
H01S3/094
IPC分类号 ：
H01S3/094 H01S3/108
法律状态
2020-01-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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