一种IGBT模块预埋填料式封装结构
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种IGBT模块预埋填料式封装结构，包括铜底座，在铜底座上部连接有环形的绝缘外壳，在铜底座与绝缘外壳的内壁之间设置有填充空腔；在铜底座上设置有镶嵌凹槽，在铜底座上固定有陶瓷基板，在陶瓷基板与镶嵌凹槽的底面之间设置有固定焊料填充空腔A；在陶瓷基板上通过焊料固定有IGBT芯片和FWD芯片；填充空腔对应陶瓷基板上部的空腔内设置有绝缘块，绝缘块内预埋有导线槽阵列；在导线槽内填充有导电焊料；在绝缘块的上部放置有DBC陶瓷板，DBC陶瓷板的铜层上焊接有接线板；绝缘外壳的开口处设置有铜质的封闭盖，封闭盖位于DBC陶瓷板的上部，封闭盖内设置有固定焊料填充空腔B。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT模块预埋填料式封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920616727.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN209981199U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
林湖
申请人 ：
江苏康迪新能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市扬州(仪征)汽车工业园管委会108室
代理机构 ：
常州市权航专利代理有限公司
代理人 ：
袁兴隆
优先权 ：
CN201920616727.0
主分类号 ：
H01L23/053
IPC分类号 ：
H01L23/053 H01L23/498 H01L23/367 H01L23/16 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/053
中空容器，并有用于半导体本体安装架的绝缘基座
法律状态
2021-04-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/053
申请日 : 20190430
授权公告日 : 20200121
终止日期 : 20200430
申请日 : 20190430
授权公告日 : 20200121
终止日期 : 20200430
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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