一种红外探测芯片
授权
摘要
本实用新型涉及红外探测领域，特别涉及一种红外探测芯片，所述芯片包括基层和设置在所述基层上红外线探测层，所述红外线探测层包括用于吸收红外线的热敏材料层，其中，所述热敏材料层为氧化镍铬热敏层。本实用新型涉所述的红外探测芯片，采用的氧化镍铬热敏层具有正电阻温度系数和高电阻温度系数，氧化镍铬薄膜热敏层在中红外3～5μm波段具有高吸收率，集成该热敏层的红外探测芯片能大大提升中红外吸收率和响应度，从而提高探测性能。
基本信息
专利标题 ：
一种红外探测芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920662583.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-09
授权号 ：
CN209820633U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
王彬王伯然李宁王明汉
申请人 ：
青岛大学
申请人地址 ：
山东省青岛市崂山区香港东路7号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN201920662583.2
主分类号 ：
G01J5/02
IPC分类号 ：
G01J5/02 G01J5/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/02
零部件
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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