纳米线栅结构和荧光各向异性增强装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种纳米线栅结构和荧光各向异性增强装置。该纳米线栅结构为多个条状结构线栅平行排布形成，且其结构参数为：线栅周期300‑800纳米，线栅宽度50‑400纳米。该装置利用超材料表面等离激元共振产生的超强局域场和超小模体积，增强荧光材料的自发辐射率和荧光强度，通过调节纳米线栅结构的线宽调制荧光增强程度，并通过调节纳米线栅结构的周期控制荧光场增强方向，从而解决了现有材料荧光信号弱以及现有技术难以调制荧光增强程度和光场偏振方向的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
纳米线栅结构和荧光各向异性增强装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920672709.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-10
授权号 ：
CN210072117U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
韩春蕊齐月静王宇叶剑挺
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
佟林松
优先权 ：
CN201920672709.4
主分类号 ：
G02B5/00
IPC分类号 ：
G02B5/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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